400部精品国偷自产在线,国产一区二区三区免费大片按摩片,美女av免费一区二区三区

伯樂電穿孔儀165-2661實(shí)驗(yàn)步驟

詳情

質(zhì)保3年只換不修，廠家長(zhǎng)沙實(shí)了個(gè)驗(yàn)儀器制造有限公司

一、概述

本儀器基于電穿孔原理，通過(guò)在短時(shí)間內(nèi)對(duì)樣品施加高壓脈沖，使細(xì)胞膜形成瞬時(shí)微孔，從而允許外源 DNA、RNA、蛋白質(zhì)或納米顆粒進(jìn)入細(xì)胞內(nèi)部。165-2661 型在結(jié)構(gòu)、控制、數(shù)據(jù)記錄等方面具有高精度、可重復(fù)性和綜合安全保障。
實(shí)驗(yàn)步驟可細(xì)分為：樣品準(zhǔn)備、儀器設(shè)置、電擊執(zhí)行、樣品回收與培養(yǎng)、結(jié)果評(píng)估。每一環(huán)節(jié)均有其關(guān)鍵要點(diǎn)和注意事項(xiàng)。

二、實(shí)驗(yàn)前準(zhǔn)備

1. 環(huán)境與儀器檢查

將儀器安放于平整、干燥、無(wú)強(qiáng)振動(dòng)、無(wú)直射陽(yáng)光的實(shí)驗(yàn)臺(tái)上。
接通電源，確認(rèn) AC 220 V ± 10%，50/60 Hz，且插座已接地。
開機(jī)后儀器進(jìn)行自檢，確認(rèn)蓋鎖檢測(cè)、溫度傳感、自動(dòng)放電系統(tǒng)、風(fēng)扇散熱系統(tǒng)均正常。
檢查電擊槽（ShockPod）內(nèi)部是否干燥、無(wú)殘液、無(wú)沉淀物。電擊杯是否清潔、干燥、無(wú)裂紋或氧化。
準(zhǔn)備電擊杯、緩沖液、樣品、外源分子、刻度移液器等。確保所有耗材無(wú)鹽、無(wú)離子強(qiáng)度過(guò)高。
預(yù)設(shè)培養(yǎng)環(huán)境。若用哺乳動(dòng)物細(xì)胞，預(yù)熱培養(yǎng)基至 37 ℃；若用細(xì)菌或酵母，準(zhǔn)備適宜轉(zhuǎn)化/培養(yǎng)平板。

2. 樣品準(zhǔn)備

從周期培養(yǎng)或適宜狀態(tài)下取細(xì)胞：細(xì)菌為對(duì)數(shù)生長(zhǎng)期，酵母或真核細(xì)胞亦處于對(duì)數(shù)期。
離心、洗滌多次以去除培養(yǎng)基中高鹽成分，使用低離子緩沖液或純水重懸。
樣品濃度調(diào)整至推薦范圍：例如細(xì)菌約 1×10? cells/mL，真核細(xì)胞約 1×10?–1×10? cells/mL。
外源分子（DNA、RNA、蛋白）應(yīng)純度高、無(wú)鹽，并緩慢加入樣品中，輕柔混勻。
將混合樣品置于冰上或低溫條件（通常 0-4 ℃）預(yù)冷 5-10 分鐘，以減少熱效應(yīng)。
移液至電擊杯，體積一般為電擊杯最大容積的 60-80%。避免液面高于電極上緣或產(chǎn)生氣泡。

三、儀器參數(shù)設(shè)置

1. 進(jìn)入設(shè)置界面

在主界面按“MENU（菜單）”鍵進(jìn)入設(shè)置模塊。
選擇“Manual Setup（手動(dòng)設(shè)置）”或“Preset Protocol（預(yù)設(shè)方案）”視實(shí)驗(yàn)需要。

2. 設(shè)定核心參數(shù)

以下是常規(guī)需設(shè)定的參數(shù)：

電壓 (Voltage)：例如 400-700 V（真核細(xì)胞）、1200-1600 V（酵母）、2000-2500 V（細(xì)菌）等。
電容 (Capacitance)：例如 25-500 μF 細(xì)菌體系、小電容；500-1000 μF 真核或植物體系。
電阻 (Resistance)：根據(jù)樣品電導(dǎo)率設(shè)定，一般 50-600 Ω。如儀器具自動(dòng)匹配 “Auto-R” 選項(xiàng)可啟用。
波形類型 (Waveform)：選擇指數(shù)衰減波（Exponential）或方波（Square）模式，依據(jù)細(xì)胞類型與目的。
脈沖次數(shù) (Pulse Count)：可設(shè) 1-10 次。敏感細(xì)胞可用多脈沖，耐受細(xì)胞可用單脈沖。
間隔時(shí)間 (Pulse Interval)：多次脈沖間隔建議 0.5-2 s，視樣品耐受性而定。
保存參數(shù)方案：完成設(shè)定后按 “SAVE” 鍵保存當(dāng)前參數(shù)組，以便日后調(diào)用。

3. 參數(shù)校驗(yàn)

檢查設(shè)定的電壓是否在儀器允許范圍（10-3500 V）內(nèi)。
檢查電容與電阻組合是否合理，確保時(shí)間常數(shù)（τ = R × C）在適用范圍。
確認(rèn)電擊杯間隙、樣品體積、電導(dǎo)率等與設(shè)置參數(shù)匹配。
若使用梯度模式（Gradient Mode），設(shè)定起始電壓、步長(zhǎng)、次數(shù)。

四、電擊執(zhí)行步驟

1. 樣品加載

將預(yù)冷樣品轉(zhuǎn)移到電擊杯中，確認(rèn)無(wú)氣泡。
蓋上杯蓋并插入 ShockPod。
蓋鎖應(yīng)聽“咔噠”聲提示閉合成功，儀器顯示 “LID CLOSED – SAFE TO RUN”。

2. 放電操作

按 “PULSE” 鍵進(jìn)入充電狀態(tài)，儀器提示 “READY TO PULSE”。
按 “ENTER” 鍵執(zhí)行放電。
放電過(guò)程中，儀器自動(dòng)顯示實(shí)際輸出電壓、時(shí)間常數(shù)、能量釋放比例等數(shù)據(jù)。
放電結(jié)束后，屏幕提示 “COMPLETE”，系統(tǒng)進(jìn)入冷卻或退出狀態(tài)。

3. 樣品立即處理

放電結(jié)束后 5-10 秒再打開蓋子，避免電弧殘留。
將樣品立即轉(zhuǎn)入預(yù)熱培養(yǎng)基或平板中，輕輕混勻。
細(xì)菌樣品可立即置于適溫培養(yǎng)，哺乳動(dòng)物細(xì)胞轉(zhuǎn)至 37 ℃ CO? 培養(yǎng)箱恢復(fù)。
記錄本次放電參數(shù)、樣品類型、體積、濃度、結(jié)果編號(hào)等，用于后續(xù)分析。

五、樣品回收與培養(yǎng)

1. 細(xì)菌或酵母

放電后立即加入適量預(yù)溫培養(yǎng)液（如 SOC、YPD 等），輕輕混勻。
在 37 ℃（細(xì)菌）或 30 ℃（酵母）溫育約 30-60 分鐘以允許細(xì)胞修復(fù)。
將適量樣品鋪平至選擇性培養(yǎng)平板，培養(yǎng)至菌落形成。

2. 哺乳動(dòng)物細(xì)胞

放電后轉(zhuǎn)入含血清完全培養(yǎng)基，置于 37 ℃、5% CO? 條件培養(yǎng)。
靜置 1-2 小時(shí)后可換培養(yǎng)基并繼續(xù)培養(yǎng)至預(yù)定時(shí)間點(diǎn)。
后續(xù)可進(jìn)行熒光標(biāo)記、Western blot、流式檢測(cè)等分析。

3. 植物原生質(zhì)體

轉(zhuǎn)入含甘露醇保護(hù)劑或適用于原生質(zhì)體的培養(yǎng)液中恢復(fù)。
置于 25-28 ℃ 溫和光照條件下，時(shí)間約 1-2 小時(shí)。
后續(xù)用于轉(zhuǎn)基因表達(dá)、熒光觀察或下游分析。

六、結(jié)果評(píng)估與數(shù)據(jù)記錄

1. 儀器數(shù)據(jù)記錄

儀器自動(dòng)保存：實(shí)際輸出電壓、電阻、時(shí)間常數(shù)、能量釋放比例、波形圖。
可通過(guò) USB 導(dǎo)出 CSV 或 TXT 文件，用于統(tǒng)計(jì)分析。

2. 生物學(xué)指標(biāo)

轉(zhuǎn)化/轉(zhuǎn)染效率：細(xì)菌以 CFU/μg DNA 表示；真核細(xì)胞以陽(yáng)性細(xì)胞占比表示。
細(xì)胞存活率：通過(guò)臺(tái)盼藍(lán)、PI 染色或流式計(jì)數(shù)評(píng)估。
表達(dá)水平：如熒光蛋白表達(dá)、qPCR 或 Western blot 檢測(cè)。
重復(fù)性與穩(wěn)定性：三次以上實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)應(yīng)波動(dòng)較?。ɡ缧首兓?<±15%）。